美光執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy在Wolfe Research會議上透露，公司即將大規模量產12層堆疊的HBM3E內存產品。該產品的容量是競爭對手的1.5倍，功耗卻低20%，展現出顯著優勢。
Murphy強調，無論三星電子在HBM業務上的表現如何，美光的目標是在HBM領域取得與整體DRAM相當的市場占比，即20%。隨著HBM產能的提升，美光的財務狀況也將得到改善。
對于NAND閃存業務，Murphy表示行業整體疲軟，因此美光決定減緩制程遷移，如推遲升級至最新的278層節點，以降低供應能力并推進庫存消耗。預計到2025年，市場狀況將逐步好轉。
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