據報道，三星DS部門存儲業務部最近完成了HBM4內存的邏輯芯片設計。Foundry業務部方面也已經根據該設計，采用4nm試產。

　　HBM，即高帶寬存儲器，憑借其卓越的性能，在高性能計算(HPC)、人工智能(AI)以及圖形處理(GPU)等前沿領域發揮著舉足輕重的作用。

　　據知情人士透露，運行時發熱一直是制約HBM發展的主要障礙，而在整個堆棧結構中，邏輯芯片更是發熱的“重災區”。因此，采用先進的制程技術對于提升HBM4的能效與性能表現至關重要。

　　在制造方面，三星不僅利用自家4nm技術制造邏輯芯片，還引入了10nm制程來生產DRAM，以打造更為出色的HBM4產品。

　　從行業數據來看，HBM4標準支持高達2048位的接口和6.4GT/s的數據傳輸速率。與HBM3E相比，HBM4的單個堆棧帶寬已飆升至1.6TB/s，這一顯著的提升使得內存系統的數據吞吐能力大幅增強，從而能夠更有效地滿足人工智能、深度學習、大數據處理以及高性能計算等領域對內存性能的嚴苛要求。

　　目前，三星的HBM4開發工作正穩步推進，預計將于2025年下半年正式投入量產。(鹿角)