5 月 6 日消息，市場分析機構 TrendForce 集邦咨詢今日發布研報，表示 2025 年 HBM 內存市場將繼續繁榮，產能和市場份額都將進一步提升。

　　研報指出，2023 年 HBM 在整體 DRAM 內存中的位元產出占比僅有 2%，今年有望成長到 5%，明年更將跨越 10% 節點;

　　而在市場份額方面，去年 HBM 占整體 DRAM 的 8%，今年將達 21%，2025 年有望成長到超過三成。

　　▲ 圖源 TrendForce 集邦咨詢

　　TrendForce 的數據顯示，目前 HBM 同傳統 DDR5 內存的價差約為五倍，同時 HBM3e 內存 TSV 工藝的良率目前僅有 40~60%。

　　研報表示，供需雙方今年二季度已開始就 2025 年的 HBM 訂單進行初步價格談判;另據IT之家此前報道，美光、SK 海力士今年的 HBM 產能已經售罄。

　　受限于整體 DRAM 產能有限，HBM 內存供應商初步調升了 5~10% 定價，覆蓋 HBM2e、HBM3、HBM3e 品類。

　　目前 HBM 買家仍對 AI 前景保持高度信心，愿意接受價格的進一步上漲;而在供應商方面，未來各廠商的 HBM 內存單價將受可靠性和供應能力影響，存在出現價差并影響獲利的可能。

　　展望 2025 年，HBM 內存的重心將轉向 12 層堆疊和 HBM3e 品類，帶動 HBM 芯片平均單堆棧容量的提升。2024 年 HBM 內存需求量已增長近 200%，明年有望再次翻倍。