韓國媒體《hankooki》3日報道，SK海力士第六代10納米級(1c nm)DRAM內存工藝良率已提升至約80%，較去年下半年的60%顯著優化。業界普遍認為，DRAM良率達80%-90%即可投入量產，這意味著該技術即將滿足大規模生產條件。

　　去年8月，SK海力士率先研發出基于1c nm制程的DDR5 DRAM，其生產率、速度和能效均優于前代技術。該工藝還將應用于LPDDR6、GDDR7等產品。不過，在高帶寬內存(HBM)領域，SK海力士短期內仍將沿用成熟的1b nm工藝，今年量產的HBM4內存暫不升級至第六代制程。