12 月 30 日消息，韓媒 the bell 當地時間 26 日報道稱，三星電子準備啟動采用常規結構的 1e nm(IT之家注：即第 8 代 10 納米級)制程 DRAM，實現先進內存開發多軌化，為未來可能的商業化提供更豐富技術儲備。

　　結合三星前任存儲器業務負責人李禎培今年 9 月展示的路線圖和《韓國經濟日報》10 月的報道，三星電子原計劃在 2026 年推出的 1d nm 內存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 創新結構的 0a nm 內存。

　　韓媒表示 1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最終走向商業化則 4F2 VCT DRAM 的量產預計將至少延至 2029 年。

　　4F2 VCT DRAM 的優勢在于其 DRAM 單元更為小巧，且能更有效利用垂直方向空間，但這也意味著其生產流程將引入大量新技術、新設備，將大幅提升資本支出和生產成本;相比之下延續傳統結構的 1e nm DRAM 具有明顯成本優勢。

　　內部消息人士表示，在經歷縮小 HBM 開發團隊規模導致未能在 HBM 市場占據有利地位的重大戰略錯誤后，三星內部忽視非主要產品技術開發的氛圍已有很大改善，這一變化推動了 1e nm DRAM 等“備選技術”的發展。