8月9日消息，SK海力士于當地時間8日，在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會” (Flash Memory Summit, FMS)上，公布了321層1TB TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存開發的進展，并展示了現階段開發的樣品。

　　作為業界首家公布300層以上NAND具體開發進展的公司，SK海力士宣布，將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產。

　　“以正在量產的最高級238層NAND積累的技術經驗為基礎，公司正在有序進行321層NAND的研發”，SK海力士相關負責人表示，“SK海力士將再次突破堆棧層數, 迎接300層NAND時代，繼續引領市場。

　　321層1TB TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數據存儲的單元可以以更多的單片數量堆棧至更高，在相同芯片上實現更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產出數量。

　　近期，隨著Chat GPT引發的生成型AI市場的需求增長，存儲更多數據的高性能、高容量存儲器需求也在急劇增加。

　　本次活動中，SK海力士還推出了針對這些需求而進行優化的下一代NAND產品解決方案：采用PCIe 5(Gen5)接口的企業級固態硬盤 (Enterprise SSD, eSSD)及UFS 4.0。

　　公司希望借助這些能夠達到世界級領先性能的產品，充分滿足追求高性能客戶的需求。

　　SK海力士還表示，公司在目前積累的產品技術和不斷優化企業內部解決方案的基礎上，正在積極開發下一代PCI 6.0和UFS 5.0產品，以致力于在未來繼續引領市場。

　　SK海力士NAND閃存開發擔當副社長崔正達在發表主題演講時表示：“我們以通過開發第五代4D NAND 321層閃存產品，鞏固品牌在NAND技術領域的領先地位”。“公司將積極推出人工智能時代所需的高性能、大容量NAND產品，繼續引領行業”。