2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit，千兆比特)DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。

　　SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”

　　公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發了1c工藝。SK海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優勢轉移到1c工藝。

　　而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1b工藝相比，其生產率提高了30%以上。

　　此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps(每秒8千兆比特)，與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少30%。

　　SK海力士DRAM開發擔當副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代HBM*、LPDDR6*、GDDR7*等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業的地位。”

　　*HBM(High Bandwidth Memory): 垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM(第一代)-HBM2(第二代)-HBM2E(第三代)-HBM3(第四代)-HBM3E(第五代)-HBM4(第六代)-HBM4E(第七代)的順序開發。

　　*LPDDR(低功耗雙倍數據速率)：是一種用于智能手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，以耗電量最小化為目的，具備低電壓運行特征。規格名稱為LP(Low Power)，最新規格為LPDDR第七代(5X)，按1-2-3-4-4X-5X-6順序開發。

　　*GDDR(Graphics DDR，圖形用雙倍數據傳輸率存儲器)：由國際半導體器件標準組織(JEDEC)規定的標準圖形用DRAM規格。專用于圖形處理的規格，該系列產品按照3、5、5X、6、7的順序來開發而成，系列越新，運行速度越快，能效也越高。該產品作為廣泛應用于圖形和人工智能領域的高性能存儲器而受到關注。