近日，華為技術有限公司、哈爾濱工業大學申請的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布，申請公布號為CN116960057A。
摘要顯示，本發明涉及芯片制造技術領域。該方法包括：制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進行等離子體活化處理;將經等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機酸溶液中，清洗后吹干;在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對準貼合進行預鍵合，得到預鍵合芯片;將預鍵合芯片進行熱壓鍵合，退火處理，得到混合鍵合樣品對。本發明實現了以Cu/SiO2混合鍵合為基礎的硅/金剛石三維異質集成。
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